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发明名称 METHOD FOR FABRICATING ACTIVE FIN AND ACTIVE FIN FET
摘要
申请公布号 KR20090044799(A) 申请公布日期 2009.05.07
申请号 KR20070111050 申请日期 2007.11.01
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, MIN SUN;KIM, JUN YOUN;JEON JOONG S.;YANG, HYUN DEOK
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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