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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium-Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
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