SOI-Bauelement mit einer Substratdiode, die durch reduzierte Implantationsenergie gebildet ist

摘要

Durch Abtragen von Material während der Herstellung von Grabenöffnungen von Isolationsstrukturen in einem SOI-Bauelement kann der nachfolgende Implantationsprozess durch Bilden des Potentialtopfgebiets für eine Substratdiode auf der Grundlage moderat geringer Implantationsenergien ausgeführt werden, wodurch die Prozessgleichmäßigkeit erhöht und die Durchlaufzeit des Implantationsprozesses deutlich verringert wird. Somit kann eine höhere Zuverlässigkeit und Stabilität der Substratdiode erreicht werden, wobei auch für ein hohes Maß an Kompatibilität zu konventionellen Fertigungstechniken gesorgt wird.