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Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat (10) mit einer ersten Oberfläche (10a) und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (10b) aufweist. Die Halbleitervorrichtung weist ferner mehrere doppelseitige Elektrodenelemente (50, 50a, 50b) auf, die jeweils ein Elektrodenpaar (18a, 18b, 21, 21a, 21b) aufweisen, das auf der ersten und der zweiten Oberfläche (10a, 10b) des Halbleitersubstrats (10) angeordnet ist. Zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (18a, 18b, 21, 21a, 21b) fließt ein Strom. Jedes doppelseitige Elektrodenelement (50, 50a, 50b) weist einen im Halbleitersubstrat (10) angeordneten p-n-Säulenbereich (13) auf. Die Halbleitervorrichtung weist ferner einen Isoliergraben (30) auf, der jedes der mehreren doppelseitigen Elektrodenelemente (50, 50a, 50b) umgibt und die mehreren doppelseitigen Elektrodenelemente (50, 50a, 50b) voneinander isoliert und trennt.
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