| 发明名称 | 注入最优化方案 | ||
| 摘要 | 本发明提供在衬底中注入离子的方法，以及制造集成电路的方法。除了其他步骤，在衬底中注入离子的方法包括：将衬底(410)放在注入盘上(405)，以使衬底(410)的主轴(430)相对于所述注入盘(405)的径向偏移旋转大约30度到大约60度或者大约120度到大约150度，此外，其中所述衬底(410)未被倾斜。所述方法进一步包括，注入离子至衬底(410)中，所述主轴(430)的旋转位置减小了阴影效应或阴影遮蔽(shadowing)。 | ||
| 申请公布号 | CN101427356A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200580014824.3 | 申请日期 | 2005.05.11 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | J·D·伯恩斯坦;L·S·罗伯逊;S·N·吉内姆;N·马哈林盖姆;B·G·莫泽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/425(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1. 一种在衬底中注入离子的方法，包括：将衬底放置在注入盘上，以使所述衬底的主轴相对于所述注入盘的径向偏移旋转大约30度到大约60度，或者大约120度到大约150度，此外其中所述衬底未被倾斜；以及注入离子至所述衬底中，所述主轴的旋转位置减小了阴影效应。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||