| 发明名称 |
一种场发射电子源的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜或者一碳纳米管丝；通过使用有机溶剂或者施加机械外力处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝得到一碳纳米管长线；将该碳纳米管长线通电流加热熔断，在熔断处形成多个场发射尖端；以及将该熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。 |
| 申请公布号 |
CN101425438A |
申请公布日期 |
2009.05.06 |
| 申请号 |
CN200710124241.7 |
申请日期 |
2007.11.02 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏 洋;刘 亮;范守善 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1. 一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；将该碳纳米管长线通电流加热熔断，在熔断处形成多个场发射尖端；以及将该熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
