形成存储单元及周边电路的方法

摘要

本发明是有关于一种形成存储单元及周边电路的方法，是先提供一衬底，此衬底具有周边电路区及存储单元区。然后，在衬底上依序形成衬垫层和掩膜层，以便在存储单元区定义数个沟道区，再在周边电路区定义主动区。之后，在主动区间形成场氧化层，并在沟道区间的衬底中植入杂质，接着在沟道区间形成存储单元间隔离层，且杂质往下趋入形成埋入式扩散区域。接着，去除掩膜层及衬垫层，而后在存储单元区的衬底上形成储电材料层以及字线。本发明因为先进行存储单元间隔离层与埋入式扩散区域的制作，再形成储电材料层，所以可提升元件可靠度。

主权项

1、一种形成存储单元的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成一衬垫层；在该衬垫层上形成一掩膜层，以便在该衬底中定义多个沟道区，其中该掩膜层的厚度大于该衬垫层的厚度；在该些沟道区间的该衬底中植入多个杂质；以该掩膜层及该衬垫层为掩膜，在该些沟道区间的该衬底上形成多个存储单元间隔离层，使该些杂质往下趋入该衬底内，形成多条埋入式扩散区域；去除该掩膜层及该衬垫层；在该衬底上形成一储电材料层覆盖该衬底及该些存储单元间隔离层；以及在该储电材料层上形成多条字线。