| 发明名称 | 电子装置用基板及其处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr<sup>+</sup>)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100485884C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200580011029.9 | 申请日期 | 2005.05.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小林保男;川村刚平 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种电子装置用基板的处理方法，其特征在于：包括：准备电子装置用的基板的工序；在该基板的表面上形成由加氟碳构成的绝缘膜的工序；和使在所述绝缘膜的表面上露出的氟原子从该绝缘膜脱离的工序，所述使氟原子脱离的工序，通过向所述绝缘膜的表面照射电子射线而进行，至少从所述形成绝缘膜的工序之后直到所述使氟原子脱离的工序结束的期间，维持所述基板不与水分接触。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||