半导体外延晶片

摘要

本发明提供一种半导体外延晶片，在P^-硅基板的表面侧叠层多层外延层，在背面侧不进行任何叠层。将多层外延层中的与硅基板相接的外延层形成P⁺的第1外延层。通过如此使P⁺层接近外延层，即使在低温的元件制造工艺中，也能够有效地进行聚集，能够提高外延晶片的制造成品率。从而能够降低外延晶片的制造成本。

主权项

1. 一种半导体外延晶片，是在半导体基板上叠层外延层的半导体外延晶片，其特征是：在所述半导体基板的表面侧叠层多层外延层，同时，与所述半导体基板相接的外延层的杂质浓度是，具备耐锁闭性和高频适应性的程度且比所述半导体基板及其它外延层的杂质浓度更高的高浓度。