发明名称 基于湿法刻蚀MEMS压印模板制造工艺
摘要 本发明公开了一种基于玻璃湿法刻蚀的压印光刻模板的制造工艺,该工艺包括对基材清洗、蒸镀偶联剂及蒸镀后处理、涂铺光刻胶、曝光、显影、二次固化、刻蚀、去胶等工艺步骤,得到压印模板。本发明采用单层负性光刻胶作为刻蚀掩模,采用硅烷偶联剂增强刻蚀掩模与玻璃表面的黏附力,通过蒸镀的方式涂铺偶联剂降低钻蚀率,采用HCl作为刻蚀液添加剂提高刻蚀表面质量,通过厚胶层工艺消除刻蚀表面缺陷。本发明适用于MEMS的分层压印制造。
申请公布号 CN100485525C 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200510043070.6 申请日期 2005.08.08
申请人 西安交通大学 发明人 段玉岗;王权岱;丁玉成;洪军;李涤尘;卢秉恒
分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/027(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 李郑建
主权项 1. 一种基于湿法刻蚀MEMS压印模板制造工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:1)基材清洗步骤,基材为载玻片材质的玻璃,首先用丙酮擦洗玻璃,然后再用蒸馏水冲洗,冲洗后的玻璃置入浓硫酸中浸泡10min;取出后再用蒸馏水冲洗,然后在100℃条件下烘干10min,去除玻璃上的污物;2)蒸镀偶联剂及蒸镀后处理步骤,将清洗后的玻璃在温度为80℃的条件下,蒸镀30min,然后在120℃条件下,烘烤40min,在玻璃上得到均匀致密的偶联剂薄层;3)涂铺光刻胶步骤,以单层光刻胶作为刻蚀掩模,采用旋涂的方式进行光刻胶的涂铺,光刻胶层厚度为60μm,其光刻胶含有下列重量比原料:环氧丙烯酸酯40~60%,一缩三丙二醇二丙烯酸酯9~15%,三环癸烷二丙烯酸甲基酯20~45%,1-羟基已基苯基甲酮3%,有机烷偶联剂KH—570,0.5~1%,有机醇消泡剂0.5~1%,有机烷流平剂1%,原料的总和为100%;4)曝光步骤,以高分辨率激光照排机输出的感光软片作为曝光掩模,在光刻胶与曝光掩模之间放置聚全氟乙丙烯透明防粘薄膜,然后用曝光机进行曝光;5)显影步骤,用无水乙醇作为显影液进行显影,显影时间为15s;6)二次固化步骤,显影后用功率为500W的紫外线高压汞灯照射2min,使光刻胶完全固化;7)刻蚀步骤,刻蚀是在超声搅拌环境下进行,刻蚀剂的成分为:HF:NH4F:HCL=0.5mol/L:0.75mol/L:0.5mol/L;刻蚀温度为25℃;刻蚀速率为0.5μm/min;8)去胶工艺,将玻璃置入超声波清洗机中,并加热至100℃,去除单层负性光刻胶,即得到压印模板。
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