发明名称 静态随机存取存储器装置及其控制电路及控制方法
摘要 本发明涉及一种静态随机存取存储器装置及其控制电路及控制方法,所述控制方法及电路,用以控制存储器装置的电源供应,在至少一字符线被选择时,则供应电源线会被控制,使得被选择到的字符线所对应的预设存储单元接收一预设主动模式电压,而其它未被选择到的字符线所对应的存储单元接收一低于预设主动模式电压的等待电压。本发明可降低SRAM的功率损耗,可排除读取或写入第一位的延迟时间问题,可将充电电流减到最小并且降低等待模式的功率损耗。由于本发明并非所有存储单元均接收到主动模式电压,故,亦可降低SRAM漏电流现象。
申请公布号 CN100485808C 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200510064279.0 申请日期 2005.04.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 廖忠志
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇
主权项 1、一种控制电路,用以控制一存储阵列的电源供应,其特征在于所述控制电路包括:一输入节点,接收一输入信号,其对应该存储阵列中的一字符线是否被选择;一第一控制模块,提供一等待电压予上述未被选择字符线所对应的一至多个预设存储单元;一第二控制模块,当上述字符线被选择时,则提供一全额操作电压予上述被选择字符线所对应的一至多个预设存储单元;以及一输出节点,根据上述输入节点的位准,提供上述等待电压或是全额操作电压予所对应的存储单元;其中,上述等待电压小于上述全额操作电压,上述第一控制模块是为一晶体管,耦接上述全额操作电压,用以提供上述等待电压,上述等待电压与上述全额操作电压的差值等于上述晶体管的临界电压。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号