半导体元件,储存元件,储存单元与储存元件的操作方法

摘要

本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一扩散区，一第二扩散区，位于该第一扩散区和该第二扩散区之间的一沟道区，位于该第一扩散区和该沟道区之间的一第一反型区，及位于该第二扩散区和该沟道区之间的一第二反型区。上述半导体元件还包括一控制栅极、至少一次栅极，而控制栅极位于上述沟道区的上方，且次栅极位于上述第一反型区和第二反型区的上方，其中控制栅极不能延伸到此至少一次栅极的上方。

主权项

1. 一种半导体元件，其特征在于包括：一半导体基板，包括：一第一扩散区，一第二扩散区，一沟道区，位于该第一扩散区和该第二扩散区之间，一第一反型区，位于该第一扩散区和该沟道区之间，及一第二反型区，位于该第二扩散区和该沟道区之间；一控制栅极，位于该沟道区的上方；至少一次栅极，位于该第一反型区和该第二反型区的上方，其中该控制栅极没有延伸到该次栅极的上方；一第一绝缘层，位于该沟道区和该第一反型区及该第二反型区上；一俘获层，位于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，位于该俘获层上；以及该次栅极包括一第一次栅极与一第二次栅极，该第一次栅极位于该第一反型区上方，该第二次栅极位于该第二反型区上方，该第一次栅极、该第二次栅极和该控制栅极都位于该第二绝缘层上。