发明名称 一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法
摘要 本发明涉及一种SDRAM读写方法,公开了一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法。本发明主要是利用物理存储器SDRAM的single write特性,提出写合并机制,在减少CPU访问内存数据时间的同时,以提高SDRAM访问效率,该方法适合应用于对存储器访频繁问的使用多核SoC设计的多媒体处理芯片领域。
申请公布号 CN101425044A 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200810232131.7 申请日期 2008.11.06
申请人 西安交通大学 发明人 梅魁志;赵晨;李国辉;郭青;雷浩;李宇海
分类号 G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F12/08(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 惠文轩
主权项 1、一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法,使用SDRAM的single方式,其特征在于,首先建立缓冲区,选择性的执行以下操作:(1)单个数据写操作:a)当一个SDRAM写数据到来时,解析它的行地址记为k,在缓冲区中查看是否有一行与该行地址k相同,如果有,则直接在缓冲区相应行中写入该数据,同时查看这一行是否已满,如果已满,则将这一行写入SDRAM的第k行中;如果数据缓冲区中没有一行与该行地址k相同,则转b);b)查看缓冲区中是否有空行,如果有,则写入该空行,同时更新其行地址信息;如果没有,转c);c)根据替换算法,将缓冲区中的一行数据全部写入SDRAM中,空出一行供当前的写数据使用;(2)单个数据的读操作:当读取一个数据时,先查看缓冲区中,如果该读数据在缓冲区中,则读取缓冲区中的相应数据;如果不在缓冲区中,从SDRAM中读取相应数据;(3)连续数据的读操作:当读取连续数据时,首先从SDRAM中读取,同时查看缓冲区,如果有该数据的拷贝,将缓冲区中相应数据作为读取结果,否则,将SDRAM中的相应数据作为读取结果;(4)连续数据的写操作:当连续数据到来时,直接写入SDRAM中,同时查看缓冲区,如果有该数据的拷贝,同时将所述连续数据写入缓冲区中,即可。
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