| 发明名称 | 氮化物系半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可提高光取出效率的氮化物系半导体发光元件。该氮化物系半导体发光元件包括：在导电性基板表面上形成的第一氮化物系半导体层；在第一氮化物系半导体层上形成的活性层；在活性层上形成的第二氮化物系半导体层；和，在第二氮化物系半导体层上形成、载流子浓度比第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的光透过层。 | ||
| 申请公布号 | CN100485978C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200510008476.0 | 申请日期 | 2005.02.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 国里竜也;广山良治;畑雅幸 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳;邸万杰 |
| 主权项 | 1. 一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于：它包括：在导电性基板表面上形成的第一导电型的第一氮化物系半导体层；由在所述第一氮化物系半导体层上形成的氮化物系半导体层构成的活性层；在所述活性层上形成的第二导电型的第二氮化物系半导体层；和在所述第二氮化物系半导体层上形成、由载流子浓度比所述第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的氮化物系半导体层构成的光透过层，在所述活性层中生成的光，通过所述光透过层射出。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||