| 发明名称 | 在硅衬底上外延生长有铝酸镧薄膜材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO<sub>3</sub>薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即刻装入外延装置中的进样室或外延室内；外延生长采用两步法，将铝酸镧材料直接外延生长在硅衬底上；或把在硅片上生长的铝酸镧作为缓冲层，然后外延生长YBCO、BaTiO<sub>3</sub>、LaMnO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>及其掺杂的BaTiO<sub>3</sub>、LaMnO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>等钙钛矿氧化物薄膜和多层膜。该材料具有良好的介电特性和很小的微波损耗，而且没有畴结构表面平整；制备方法工艺简单，解决了大尺寸的衬底问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100485867C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200410069292.0 | 申请日期 | 2004.07.20 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 吕惠宾;何萌;相文峰;黄延红;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢 |
| 分类号 | H01L21/08(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1. 一种在硅衬底上外延生长有铝酸镧薄膜的材料，其特征在于：包括以下组成：以n型或p型硅片为衬底，所述的衬底经过氢氟酸洗液漂洗后，直接在该硅衬底上外延生长一铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||