具有集成EMI和RFI屏蔽的包覆成型半导体封装

摘要

根据一个示例性实施例，一种包覆成型封装，包括位于衬底上的半导体管芯。所述包覆成型封装还包括位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体，其中所述包覆模体具有顶面。所述包覆成型封装还包括位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层，其中所述导电层包括导电聚合体，并且其中所述导电层形成EMI和RFI屏蔽。根据该示例性实施例，所述包覆成型封装还可包括位于所述衬底上方的柱，其中所述柱连接到所述导电层。所述包覆成型封装还可包括位于所述包覆模体中的孔，其中所述孔位于所述柱上方，其中用所述导电聚合体填充所述孔，以及其中所述导电聚合体与所述柱接触。

主权项

1. 一种包覆成型封装，包括：位于衬底上的半导体管芯；位于所述衬底上方的柱；位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体，所述包覆模体具有顶面；位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层，所述柱连接到所述导电层，其中所述导电层包括导电聚合体；其中所述导电层形成EMI和RFI屏蔽，以及其中所述导电层是所述包覆成型封装的最顶层。