发明名称 电解电容器用负极箔的制备工艺
摘要 本发明涉及负极箔技术领域,特别涉及电解电容器用负极箔的制备工艺,包括以下步骤:箔片清洗、镀钛金属膜、浸渍和干燥固化,在箔片镀上一层钛金属膜,大大提高负极箔介电层的介电常数ε,使得负极箔介电层的介电常数ε较现有技术的介电常数高5~15倍,在同等比表面的条件下可以大幅度提高负极箔的容量;此外,硅烷偶联剂经过固化处理后,在钛金属层表面形成一层保护层,阻隔了空气中的氧气跟铝箔接触,避免铝氧化引起的劣化作用,改善钛金属膜在空气中的稳定性,确保了钛金属膜正常发挥作用。
申请公布号 CN101425379A 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200810029811.9 申请日期 2008.07.29
申请人 东莞市东阳光电容器有限公司 发明人 江国东
分类号 H01G9/04(2006.01)I;H01G9/045(2006.01)I;C23G1/00(2006.01)I;C23C14/26(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I 主分类号 H01G9/04(2006.01)I
代理机构 东莞市华南专利商标事务所有限公司 代理人 李玉平
主权项 1、电解电容器用负极箔的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、箔片清洗:将箔片置于0.2~0.5mol/L的氢氧化钠或磷酸溶液中清洗10~60秒;b、镀钛金属膜:采用电子束蒸镀的方式在箔片表面沉积一层钛金属膜;c、浸渍:将经过镀钛金属膜的箔片浸入硅烷偶联剂溶液中,浸渍时间为8~20秒;d、干燥固化:将浸渍后的箔片进行干燥固化处理,处理温度为60~100℃,处理时间为10~60分钟,硅烷偶联剂在干燥固化过程中发生聚合反应,形成一层硅胶保护层,在镀有钛金属膜的箔片外表面形成一层硅胶保护层,即形成电解电容器用负极箔。
地址 523853广东省东莞市广东省东莞市长安镇锦厦河东三路东莞市东阳光电容器有限公司