| 发明名称 | 具有增强的读/写操作的SRAM器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有增强的读/写操作的SRAM器件，该SRAM器件包括：第一存储单元组，该第一存储单元组与第一局部位线和第一局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取；第二存储单元组，该第二存储单元组与第二局部位线和第二局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取；和全局位线和全局互补位线，该全局位线和全局互补位线与所述第一和第二局部位线相连以对所述第一和第二存储单元组中的数据节点进行存取，其中，在所述SRAM器件的同一金属化层构建所述第一局部位线，所述第一局部互补位线，所述第二局部位线，所述第二局部互补位线，所述全局位线和所述全局互补位线。 | ||
| 申请公布号 | CN101425332A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810174226.8 | 申请日期 | 2008.10.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李政宏;王屏薇;吴经纬;林书玄;张峰铭;廖宏仁 |
| 分类号 | G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 马铁良;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种静态随机存取存储器(SRAM)器件，其特征在于，包括：第一存储单元组，该第一存储单元组与第一局部位线和第一局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取；第二存储单元组，该第二存储单元组与第二局部位线和第二局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取；和全局位线和全局互补位线，该全局位线和全局互补位线与所述第一和第二局部位线相连以对所述第一和第二存储单元组的数据节点进行存取，其中，在所述SRAM器件的同一金属化层构建所述第一局部位线，所述第一局部互补位线，所述第二局部位线，所述第二局部互补位线，所述全局位线和所述全局互补位线。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||