| 发明名称 | SOI衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SOI衬底及其制造方法。提供了一种使用热退火方法形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法以提供具有薄的高电阻率表面层的半导体基础晶片，所述薄的高电阻率表面层位于与掩埋的绝缘层相接的界面处。具体而言，本发明的方法制造了一种绝缘体上半导体(SOI)衬底，其具有通过掩埋的绝缘层至少部分地隔离的SOI层和半导体基础晶片，其中所述半导体基础晶片包括位于所述半导体基础晶片的低电阻率半导体部分上的高电阻率(HR)表面层，并且所述HR表面层与所述掩埋的绝缘层形成界面。 | ||
| 申请公布号 | CN101425521A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810212495.9 | 申请日期 | 2008.09.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | G·法伊弗;M·莱维;D·马丁;J·A·斯林克曼 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;杨晓光 |
| 主权项 | 1. 一种绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括：通过掩埋的绝缘层至少部分地隔离的SOI层和第一电阻率的半导体基础晶片，其中所述半导体基础晶片包括大于所述第一电阻率的第二电阻率的表面层，所述半导体基础晶片的所述表面层与所述掩埋的绝缘层形成界面。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||