| 发明名称 | TFT-LCD像素结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法，其中像素结构包括栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，其中栅线通过薄膜晶体管与本行的像素电极连接，还包括薄膜二极管，所述栅线通过所述薄膜二极管与下一行的像素电极连接；制造方法包括：在基板上形成栅线、第一栅电极和第二栅电极；形成栅绝缘层，并形成栅绝缘层过孔；形成第一非晶硅层、第一n<sup>+</sup>非晶硅层、第二非晶硅层和第二n<sup>+</sup>非晶硅层；形成数据线、金属电极层和源漏电极层；沉积钝化层；形成像素电极。本发明提出的TFT-LCD像素结构及其制造方法，有效的改善了影像残留现象；同时与现有技术相比，保证了开口率，提高了画面品质。 | ||
| 申请公布号 | CN101424848A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200710176466.7 | 申请日期 | 2007.10.29 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 彭志龙 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 芳 |
| 主权项 | 1、一种TFT-LCD像素结构，包括栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，其中栅线通过薄膜晶体管与本行的像素电极连接，其特征在于，还包括薄膜二极管，所述栅线通过所述薄膜二极管与下一行的像素电极连接。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||