发明名称 形成电触点的半导体处理方法和半导体结构
摘要 无电电镀可用于形成与半导体衬底相关联的电互连。例如,可形成上面具有伪结构和数字线的半导体衬底,该伪结构上具有适合无电电镀的表面,并且该数字线上具有与伪结构相同的高度。在伪结构和数字线上可形成一个层,并且可形成通过该层到伪结构和数字线上表面的开口。其后,在开口内可对传导材料进行无电电镀以形成开口内的电触点。延伸到伪结构的开口可通过电容器电极,并相应地在此类开口内形成的传导材料可用于形成到电容器电极的电触点。
申请公布号 CN100485876C 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200580018246.0 申请日期 2005.03.23
申请人 美光科技公司 发明人 N·辛哈;D·乔普拉;F·D·费希博恩
分类号 H01L21/288(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/288(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 王允方;刘国伟
主权项 1. 一种用于形成电触点的半导体处理方法,它包括:提供支持电绝缘材料和一对电节点的半导体衬底,所述电节点为第一节点和第二节点,第一开口延伸通过所述电绝缘材料到所述第一节点,并且第二开口延伸通过所述电绝缘材料到所述第二节点,所述第一节点在所述衬底之上的第一高度,并且所述第二节点在所述衬底之上的第二高度,所述第一高度低于所述第二高度并因此所述第一开口比所述第二开口更深,所述第一电节点具有暴露在所述第一开口内的第一表面,并且所述第二电节点具有暴露在所述第二开口内的第二表面,所述第一表面适合无电电镀,并且所述第二表面不适合无电电镀;在所述第一开口内并从所述第一表面对第一传导材料进行无电电镀,以在所述第一开口内形成高度与所述第二高度相同的第一传导材料接头;激活所述第二表面以使所述第二表面适合无电电镀;以及在激活所述第二表面后,在所述第一和第二开口内对第二传导材料进行无电电镀,所述第一开口内的所述第二传导材料形成从所述第一传导材料接头向上延伸的第二传导材料接头,并且所述第二开口内的所述第二传导材料形成从所述第二表面向上延伸的第二传导材料接头。
地址 美国爱达荷州