| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法。该浅沟槽隔离结构的形成方法是在晶片的基底上形成掩模层，并移除未被掩模层覆盖的部分基底，以在基底中形成多个浅沟槽。接着，在基底上形成介电层并填入浅沟槽中。其后，进行第一化学机械抛光工艺，以移除部分介电层，接着，进行第二化学机械抛光工艺，以移除部分介电层及掩模层，使介电层的表面低于掩模层的表面。前述第二化学机械抛光工艺的研磨速率低于第一化学机械抛光工艺的研磨速率，且第二化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比高于第一化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比。之后，再移除掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN101425477A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200710184908.2 | 申请日期 | 2007.10.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 庄子仪 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：在晶片的基底上形成掩模层；移除未被该掩模层覆盖的部分该基底，以在该基底中形成多个浅沟槽；在该基底上方形成介电层，且该介电层填满该浅沟槽；进行第一化学机械抛光工艺以移除部分该介电层；进行第二化学机械抛光工艺，以移除部分该介电层与部分该掩模层，至该介电层的表面低于该掩模层的表面，其中该第二化学机械抛光工艺的研磨速率低于该第一化学机械抛光工艺的研磨速率，且该第二化学机械抛光工艺的该介电层对该掩模层的研磨选择比高于该第一化学机械抛光工艺的该介电层对该掩模层的研磨选择比；以及移除该掩模层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||