发明名称 |
各向异性有机场效应管的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种各向异性有机场效应管的制备方法,包括:在导电基底上生长绝缘介质层薄膜形成绝缘层衬底;在绝缘层衬底上利用Langmuir-Blodgett膜的成膜方式组装一层取向化的单分子薄膜形成取向层;在图案化的衬底上沉积生长有机半导体薄膜形成有机半导体层;在有机半导体层上通过镂空的掩模板沉积生长金属源漏电极。本发明工艺简单、人为可控性高、重复性好,所制备得到的器件具有较高均匀性的制备高迁移率。 |
申请公布号 |
CN101425563A |
申请公布日期 |
2009.05.06 |
申请号 |
CN200810227862.2 |
申请日期 |
2008.12.01 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
姬濯宇;刘明;商立伟;王宏 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1、一种各向异性有机场效应管的制备方法,其特征在于,包括:步骤1、在导电基底上生长绝缘介质层薄膜形成绝缘层衬底;步骤2、在完成步骤1的绝缘层衬底上利用兰缪尔-布罗吉膜的成膜方式组装一层取向化的单分子薄膜形成图案化的衬底;步骤3、在完成步骤2的图案化的衬底上沉积生长有机半导体薄膜形成有机半导体层;步骤4、在完成步骤3的有机半导体层上通过镂空的掩模板沉积生长金属源漏电极。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |