| 发明名称 | SOI衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具有即使在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于制造一种使用这种SOI衬底的可靠性高的半导体装置。使用具有单晶半导体层的SOI衬底，所述单晶半导体层是从单晶半导体衬底转载到支撑衬底上并其整个区域经过利用激光照射的熔融状态而再单晶化了的层。由此，单晶半导体层的结晶缺陷减少而结晶性提高，并且平坦性也提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101425456A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810174746.9 | 申请日期 | 2008.10.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 下村明久;桃纯平 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 1. 一种SOI衬底的制造方法，包括如下工序：对半导体衬底添加离子，以在所述半导体衬底中形成脆化层；隔着至少一个绝缘层贴合所述半导体衬底和支撑衬底；进行在所述脆化层分离所述半导体衬底的热处理，以在所述支撑衬底上形成半导体层；以及对所述半导体层照射脉冲激光使所述半导体层的照射区域的整个厚度熔融。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||