| 发明名称 | 一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法，具体操作步骤为：1)固定CMOS MEMS器件于封装盒；2)导通CMOS MEMS器件上与电化学腐蚀相关的焊盘与封装盒对应的焊盘；3)封固封装盒；4)进行腐蚀工艺；5)分离CMOS MEMS器件与封装盒，获得干净的CMOS MEMS器件。本发明的优点是：1.相对于原有制作特殊抗腐蚀绝缘夹具的方法本发明通用方法不需要为每种不同的芯片制作特定的夹具，具有通用性；2.此方法具有更短的加工周期；3.更低的加工成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101423187A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810238812.4 | 申请日期 | 2008.12.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 焦斌斌;俞挺;陈大鹏;欧毅;叶甜春 |
| 分类号 | B81C5/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1、一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法，其特征在于：所述保护方法的操作步骤为： | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||