| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。 | ||
| 申请公布号 | CN100485882C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200710086371.6 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 岛山努;龟嶋隆季;冈本正喜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构，其中执行所述第一步骤以使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||