半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明目的是提供恢复损失低且具备高耐压的半导体装置。本发明的半导体装置，其特征在于，具备：(a)具有表面和背面的第1导电型的半导体基板；(b)绝缘栅极型晶体管，具备：表面形成的第1导电型的发射极区；表面形成的第2导电型的基极区；表面上，隔着绝缘膜与基极区相对的栅极；表面上与发射极区连接的发射极；(c)背面形成的第2导电型的集电极区；(d)背面上与集电极区相对设置的集电极；(e)表面和背面间与集电极区共同包围绝缘型晶体管的第2导电型的分离区，集电极区的厚度在17～50微米的范围内。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：具有表面和背面的第1导电型的半导体基板；上述背面上形成覆盖整个背面的第2导电型的集电极区；上述集电极区上形成的集电极；从上述半导体基板的上述表面延伸到上述集电极区，与上述集电极区共同包围漂移区的至少一组第2导电型的分离区；在上述半导体基板的上述表面附近，上述漂移区内形成的第2导电型的基极区；在上述半导体基板的上述表面附近，上述基极区内形成的第1导电型的发射极区；隔着绝缘膜与上述基极区相对的栅极；上述发射极区上形成的发射极，上述集电极区的厚度在17～50微米的范围内。