发明名称 蚀刻方法
摘要 本发明涉及一种蚀刻方法,其采用含SF<sub>6</sub>的蚀刻气体体系,其中,在该SF<sub>6</sub>的蚀刻气体体系中还添加氧气。本发明的蚀刻方法可以在保证产能情况下大幅度降低源动力,从而实现大幅度降低天板沉积速度,减少栅极断线发生率。
申请公布号 CN101425459A 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200710047579.7 申请日期 2007.10.30
申请人 上海广电NEC液晶显示器有限公司 发明人 徐伟齐
分类号 H01L21/311(2006.01)I 主分类号 H01L21/311(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 薛 琦
主权项 1. 一种蚀刻方法,其采用含SF6的蚀刻气体体系,其特征在于:在该SF6的蚀刻气体体系中还添加氧气。
地址 201108上海市闵行区华宁路3388号
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