| 发明名称 | α-钽层的形成方法、MIM电容及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种MIM电容、形成α-钽层的方法、以及形成MIM电容的方法。形成MIM电容的方法包括形成含氮层于半导体基底上。以轰击元素轰击含氮层以形成α-钽晶种层。之后，在N<sub>2</sub>流量实质上为零的条件下溅镀Ta以形成α-钽的第一极板表层。之后，形成介电层于第一极板上，并形成第二极板于介电层上，以完成MIM电容的制作。本发明可降低电极板的电阻，可降低电容的厚度，其他优点还包括以较低的成本制作出低电阻、低厚度的MIM电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101425453A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810146359.4 | 申请日期 | 2008.08.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曹荣志;廖茂成;孙钟仁;陈科维 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1. 一种形成α-钽层的方法，包括下列步骤：形成含氮层于半导体基底上；以轰击元素轰击该含氮层以形成α-钽晶种层；以及溅镀钽层于该α-钽晶种层上，以形成实质上由α-钽所构成的表层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||