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发明名称 Suspended-gate MOS transistor with non-volatile operation by piezoelectric activation
摘要
申请公布号 EP2014611(A3) 申请公布日期 2009.05.06
申请号 EP20080159904 申请日期 2008.07.08
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 COLLONGE, MICHAEL;THOMAS, OLIVIER;VINET, MAUD
分类号 B81B3/00;B81B7/02;G11C16/04;G11C23/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/20;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/68;H01L29/78;H01L41/09 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
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