用于光敏器件的半导体材料的导带和价带的能带边缘位置的优化方法

摘要

本发明涉及具有通式A_xB_1-xC_y的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。

主权项

1. 一种使用具有式AxB1-xCy的半导体化合物来优化光敏器件的半导体层内的半导体材料的导带和价带的位置和/或导带与价带之间的能量差的方法，该光敏器件优选为在所述半导体层内具有染料的染料敏化太阳能电池，和/或使用具有式AxB1-xCy的半导体化合物来优化所述器件的开路电压的方法，所述器件优选为所述染料敏化太阳能电池，其中A和B为金属或类金属，且其中C为优选地选自包含C、N、O、P、S、Se、As、NO2、NO3、SO3、SO4、PO4、PO3、CO3的群组的非金属或者类金属，x在从0.001到0.999的范围内且y在从0.1到10的范围内。