| 发明名称 | 下层膜形成用组合物及图案形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，通式(1)中，R<sub>1</sub>表示羟基等，X表示碳原子数为1～20的可以取代的亚烷基等，n是0～6的整数，m是1～8的整数，n+m是1～8的整数，多个R<sub>1</sub>和X可以相同也可以不同。 | ||
| 申请公布号 | CN101427183A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014538.6 | 申请日期 | 2007.03.14 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 能村仲笃;今野洋助;杉田光;高桥纯一 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 左嘉勋;刘继富 |
| 主权项 | 1、一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，式中，R1表示羟基、碳原子数为1～6的可以取代的烷基、碳原子数为1～6的可以取代的烷氧基、碳原子数为2～10的可以取代的烷氧羰基、碳原子数为6～14的可以取代的芳基、或碳原子数为2～6的可以取代的缩水甘油醚基；n是0～6的整数；其中，n为2～6时，多个R1可以相同也可以不同；X表示亚甲基、碳原子数为2～20的可以取代的亚烷基、碳原子数为6～14的可以取代的亚芳基、或亚烷基醚基；m是1～8的整数；m为2～8时，多个X可以相同也可以不同；此外，n+m是1～8的整数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||