三维存储器

摘要

本发明对三维存储器(3D-M)作了进一步改进，并充分利用其与衬底电路的可集成性，来提高3D-M的的速度、成品率和可编程性。3D-M可以利用读出放大器(S/A)、全读模式和自定时来提高其读速度。使用S/A和全读模式还能极大地提高3D-M单位阵列的容量，因而增强3D-M与衬底电路的可集成性。衬底电路上还可以嵌入RAM作为3D-M数据的cache，或ROM作为3D-M数据的纠错数据和/或升级码。

主权项

1. 一种三维存储器，其特征在于含有：一含有多个数据读出放大器(17c...)的衬底(Os)以及多个堆叠在该衬底上方的三维存储层(100)，每个所述三维存储层含有至少一个单位阵列(0A)，该单位阵列含有多条字线(20a...)、多条数据位线(30c...)和多个位于所述字线和位线交叉点处的存储元(1ac...)，所述数据位线与所述数据读出放大器耦合；在一个读周期内，一条字线被选择，该字线上的电压为读电压(VR)，而且该字线上的所有数据在该读周期内被全部读出。