发明名称 有机电致发光器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种制造有机电致发光器件的方法,该方法包括:在基板上形成薄膜晶体管;在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层和第一电极;在第一电极和钝化层的预定部分处形成接触孔,暴露薄膜晶体管的漏极上表面;在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层和势垒肋;在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层;和在有机发光层上形成第二电极,以便第二电极通过接触孔与漏极电连接,其中,进一步包括在第一电极下方形成不透明金属层作为反射层。
申请公布号 CN100485994C 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200410091701.7 申请日期 2004.11.25
申请人 乐金显示有限公司 发明人 裵晟埈;李在允
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H05B33/08(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;梁 挥
主权项 1. 一种制造有机电致发光器件的方法,该方法包括:在基板上形成薄膜晶体管;在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层;在钝化层上形成第一电极;在第一电极和钝化层的预定部分处穿过钝化层和第一电极形成接触孔,暴露薄膜晶体管的漏极上表面;在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层;在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层;和在有机发光层上形成第二电极,使第二电极通过接触孔与漏极电连接,其中,进一步包括在第一电极下方形成不透明金属层作为反射层;其中,薄膜晶体管通过顺序沉积栅极,栅极绝缘层,有源层,欧姆接触层,源极和漏极形成;以及其中有机发光层通过在第一电极上顺序沉积空穴注入层HIL,空穴迁移层HTL,发光层EML,和电子迁移层ETL形成。
地址 韩国首尔