| 发明名称 | 氮化物半导体部件及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的方法，该方法包括步骤：-制备具有硅表面的衬底；-在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；-可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；-在所述氮化物成核层或者当存在时在第一氮化物缓冲层上淀积掩模层；-在所述掩模层上淀积含有镓的第一氮化物半导体层，其中，通过这样一种方式淀积所述掩模层，使得在所述第一氮化物半导体层的淀积步骤中，最初分离的微晶在一定的聚合层厚度之上首先共生，并且在垂直于所述生长方向的共生氮化物半导体层的层平面内占据至少0.16μm<sup>2</sup>的平均表面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101427391A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014633.6 | 申请日期 | 2007.02.22 |
| 申请人 | 阿祖罗半导体股份公司 | 发明人 | 阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李昕巍 |
| 主权项 | 1. 一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺，包括步骤：-提供具有硅表面的衬底；-在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；-可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；-在所述氮化物成核层或者当存在时在第一氮化物缓冲层上淀积掩模层；-在所述掩模层上淀积含有镓的第一氮化物半导体层，其中，通过这样一种方式淀积所述掩模层，使得在所述第一氮化物半导体层的淀积步骤中，最初分离的微晶生长从而在一定聚合层厚度之上聚合并且在所述聚合的氮化物半导体层的垂直于所述生长的方向的层平面内占据至少0.16μm2的平均表面积。 | ||
| 地址 | 德国马格德堡 | ||