半导体存储器件及其构建方法

摘要

本发明涉及半导体存储器件及其构建方法，并公开了一种改进的电路线布线。在靠近半导体存储器件的存储单元区的外围电路区中提供平滑的电路线，并消除写速度限制因素。形成待连接到栅极层的金属(代替金属硅化多晶硅)线路层，以传送电信号到形成在外围电路区中的FET(例如，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管))晶体管的栅极；该金属线路层形成(例如，通过一个金属镶嵌工艺)在与形成在栅极层(例如，通过另一金属镶嵌工艺)上的字线层不同的层上，因此获得具有减小的面积且不使用硅化物工艺的外围电路区的布线。

主权项

1、一种半导体存储器件，包括：存储单元区，包括沿第一方向彼此靠近设置并具有公用字线的第一和第二存储单元；外围电路区，沿第二方向接近所述存储单元区，包括具有各自的形成在半导体层中的源极、沟道和漏极的多个场效应晶体管(FET)；第一位线和第一互补位线，连接到所述第一存储单元并沿所述第二方向延伸到形成在位线金属层中的所述外围电路区；第二位线和第二互补位线，连接到所述第二存储单元并沿所述第二方向延伸到形成在所述位线金属层中的所述外围电路区；第一均衡FET，形成在所述外围电路区中并电连接到所述第一位线和所述第一互补位线且在所述第一位线和所述第一互补位线之间，其中所述第一均衡FET的一部分被所述第二位线和所述第二互补位线中至少一个重叠；第二均衡FET，形成在所述外围电路区中并电连接到所述第二位线和所述第二互补位线且在所述第二位线和所述第二互补位线之间，其中所述第二均衡FET的一部分被所述第一位线和所述第一互补位线中至少一个重叠；栅极层，包括所述场效应晶体管的所述栅极电极；和第一金属线路线，配置为沿所述第二方向传送电信号到所述第一均衡FET的所述栅极电极；以及第二金属线路线，配置为沿所述第二方向传送电信号到所述第二均衡FET的所述栅极电极。