| 发明名称 | 用于半导体器件的电感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于半导体器件的电感器，包括：第一层间介电体，其形成在硅衬底的顶部上；至少一个第一金属线，其形成在第一层间介电体的顶部上；第二层间介电体，其形成在第一层间介电体的顶部上，以覆盖第一金属线；至少一个第二金属线，其形成在第二层间介电体的顶部上，并连接着第一金属线；以及上保护膜，其形成于第二层间介电体的顶部上，以覆盖第二金属线；其中，第一金属线和第二金属线交替布置在第一层间介电体和第二层间介电体上并形成为螺旋形结构。本发明的优点为：由于与所有电感器金属线布置在相同层上的情形相比，电感器金属线之间的间隔加宽，寄生电容减小，且自谐振频率增大，因此可以扩展可用频带。 | ||
| 申请公布号 | CN100485934C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200610172436.4 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金南柱 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1. 一种用于半导体器件的电感器，包括：第一层间介电体，其形成在硅衬底的顶部上；至少一个第一金属线，其形成在该第一层间介电体的顶部上；第二层间介电体，其形成在该第一层间介电体的顶部上，以覆盖所述第一金属线；至少一个第二金属线，其形成在该第二层间介电体的顶部上，并连接所述第一金属线；以及上保护膜，其形成于该第二层间介电体的顶部上，以覆盖所述第二金属线；其中，所述第一金属线和第二金属线交替布置在该第一层间介电体和该第二层间介电体上并形成为螺旋形结构。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||