| 发明名称 | 应力层集成及其方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造半导体器件的方法，根据该方法，提供衬底(203)，在该衬底(203)之上具有第一栅极结构(205)和第二栅极结构(207)。在所述衬底之上形成第一应力层(215)，并且在所述第一应力层之上形成牺牲层(216)。在所述牺牲层之上形成第二应力层(219)。 | ||
| 申请公布号 | CN101427364A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014258.5 | 申请日期 | 2007.03.07 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 保罗·A·格吕多斯基;达尔恩·V·格德克;约翰·J·哈肯贝格 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，该衬底上具有第一和第二栅极结构；在所述衬底之上形成第一应力层；在所述第一应力层之上形成牺牲层；以及在所述牺牲层之上形成第二应力层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||