具有将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置

摘要

本发明涉及具备将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置。该半导体装置具备可控硅、触发电路以及浪涌检测/泄漏减少电路。上述可控硅的阳极连接于第1端子，阴极连接于第2端子。使上述触发电路形成对上述第1端子施加浪涌电压时触发上述可控硅的结构。使浪涌检测/泄漏减少电路形成设置在可控硅的栅极和上述第2端子之间，在常规动作时切断从上述触发电路流向上述第2端子的电流，在施加浪涌电压时设定与上述触发电路一起触发所述可控硅用的触发电压的结构。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，包含阳极连接于第1端子，阴极连接于参考接地端子的可控硅；形成在对所述第1端子施加浪涌电压时触发所述可控硅的结构的触发电路，所述触发电路的一端连接于所述第1端子，另一端连接于所述可控硅的栅极；以及设置在所述可控硅的栅极和所述参考接地端子之间，形成在常规动作时切断从所述触发电路流向所述参考接地端子的电流，在施加浪涌电压时设定与所述触发电路一起触发所述可控硅用的触发电压的结构的浪涌检测/泄漏减少电路，其中所述浪涌检测/泄漏减少电路在常规动作时电阻值变大，施加浪涌电压时电阻值变小。