| 发明名称 | 清洗晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清洗晶片的方法。首先提供一晶片，并将晶片载入一反应室。接着顶起晶片，并对晶片进行一干式清洗工艺，以清洗晶片的晶面、晶背与晶边。最后对晶片进行一沉积工艺，其中干式清洗工艺与沉积工艺是利用原位方式(in-situ)进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100485881C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200510097895.6 | 申请日期 | 2005.09.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈明德;吴一经;黄建栋 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种清洗晶片的方法，包括以下步骤：提供一晶片，并将该晶片载入一反应室；顶起该晶片，并对该晶片进行一干式清洗工艺；以及对该晶片进行一沉积工艺；其中该干式清洗工艺与该沉积工艺是利用原位方式进行。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||