发明名称 集成电路结构
摘要 一种集成电路结构包括一下介电层;一上介电层于该下介电层之上;以及一密封环。密封环包括一上金属线于该上介电层中;一连续导孔条于该第一上金属线之下且与其邻接,其中该连续导孔条的宽度大于该上金属线宽度的约70%;一下金属线于该下介电层中;以及一导孔条于该下金属线之下且与其邻接。该导孔的宽度实质上小于该下金属线的宽度的一半。
申请公布号 CN101425483A 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200810086301.5 申请日期 2008.03.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郑心圃;许仕勋;侯上勇;蔡豪益;余振华
分类号 H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈 晨
主权项 1. 一种集成电路结构,包括:一下介电层;一上介电层,于该下介电层之上;以及一第一密封环,包括:一第一上金属线,于该上介电层中;一第一连续导孔条,于该第一上金属线之下且与其邻接,其中该第一连续导孔条的宽度实质上与该第一上金属线相同;一第一下金属线,于该下介电层中;以及一第一导孔条,于该第一下金属线之下且与其邻接。
地址 中国台湾新竹市