发明名称 制造氧化镧复合物的方法
摘要 在基材上制造氧化镧复合物的方法,包括:基于每个镧原子,将H<sub>2</sub>O分子数、CO分子数和CO<sub>2</sub>分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小,所述H<sub>2</sub>O分子、CO分子和CO<sub>2</sub>分子来源于制造时气氛中的H<sub>2</sub>O气体组分、CO气体组分和CO<sub>2</sub>气体组分;和在基于每个镧原子将O<sub>2</sub>分子数设定为20或更大的条件下,同时向基材供给含有选自由镧、铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造氧化镧复合物。
申请公布号 CN101423932A 申请公布日期 2009.05.06
申请号 CN200810173940.5 申请日期 2008.10.31
申请人 株式会社东芝 发明人 高岛章;村冈浩一
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 郭建新
主权项 1. 在基材上制造氧化镧复合物的方法,该方法包括:基于每个镧原子,在气氛中将H2O分子数、CO分子数和CO2分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小;和在基于每个镧原子将O2分子数设定为20或更大的条件下,同时向所述基材供给镧原料、含有选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造含有所述选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的所述氧化镧复合物。
地址 日本东京都