| 发明名称 | 具有磁阻效应的装置及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有磁阻效应的装置。该装置包括在基底上具有至少三个层的有机电子薄层构件。所述装置用作以磁层结构(AMR/GMR/TMR)为基础用于进行位置测量和电流测量的传感器，或者用于进行磁场测量(罗盘)的传感器或者用作霍耳传感器。由偏置磁体产生的支持磁场(Hb)提高了传感器灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN101427395A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014592.0 | 申请日期 | 2007.04.13 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | W·萨弗特;G·里格;M·鲁里格;R·帕特佐德尔;G·施米德;J·维克;R·韦斯 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曹 若 |
| 主权项 | 1. 一种装置，包括至少一个在基底上具有至少三个层的有机电子薄层构件以及至少一个磁场产生设备，其中，所述装置是如此设置的，使得磁场产生设备在有机电子薄层构件中引起磁阻的变化。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||