| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100485967C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200610051497.5 | 申请日期 | 2006.02.28 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 山口晋平;田井香织;平野智之 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种包括场效应晶体管的半导体器件，所述场效应晶体管具有位于半导体衬底上侧的栅电极，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中所述栅电极至少在其栅极绝缘膜一侧包括由HfSi或HfSiM构成的膜，其中M选自由C、Ta、Ti、W、Zr和Mo构成的组。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||