制造半导体装置之方法

摘要

一种制造半导体装置之方法，其包括：形成含有包括钨之第一层的图案；在包括氮的气体环境中，于前述图案上实行气体流动处理；以及使用包括氮的来源气体，在前述图案上方形成第二层，其中，以当形成前述第二层时在前述第一层及所使用的前述氮之间的反应受到控制的方式，以既定温度来实行前述气体流动处理达既定时段之时间。