| 摘要 |
N型半导体区域及P型半导体区域系提供于一半导体基板之一表面区域内。将绝缘膜及含矽膜层压至该半导体基板上。将P型杂质引入至在该N型半导体区域上方的该含矽膜之一第一部分内。沿厚度方向薄化该含矽膜之该第一部分。将N型杂质引入至在该P型半导体区域上方的该含矽膜之一第二部分内。在该含矽膜上提供一遮罩。该含矽膜之该第一部分及该第二部分系使用该遮罩作为一蚀刻遮罩一起加以蚀刻，以分别在该N型半导体区域及该P型半导体区域上方形成闸极电极膜。将P型杂质及N型杂质引入至该N型半导体区域及该P型半导体区域内，以形成P型源极层与P型汲极层及N型源极层与N型汲极层。 |
