| 发明名称 |
绝缘层上覆矽基板及采用绝缘层上覆矽基板之半导体装置 |
| 摘要 |
利用较形成半导体层之矽，机械的特性更为优异之SiC等材料形成基体，并将该基体及半导体层隔着绝缘物层贴合。贴合后，将半导体层从基体以机械性地切离，制作成绝缘层上覆矽基板，另一方面，将切离之半导体层再利用于次一绝缘层上覆矽基板之制作。藉此，能得到知方法难制作之直径400mm以上之大小的大型绝缘层上覆矽基板。 |
| 申请公布号 |
TW200919540 |
申请公布日期 |
2009.05.01 |
| 申请号 |
TW097124871 |
申请日期 |
2008.07.02 |
| 申请人 |
国立大学法人 东北大学;三井造船股份有限公司 MITSUI ENGINEERING ＆;梭意科技股份有限公司 |
发明人 |
大见忠弘;寺本章伸;佐野纯央;吉见信 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
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| 地址 |
法国 |
