结合电荷捕陷介电层与浮置闸极之非挥发性记忆体

摘要

本发明之非挥发性记忆单元储存至少50％之电荷于一电荷捕陷介电层，且储存至少20％之电荷于一浮置闸极。该浮置闸极之厚度至多为20奈米。