发明名称 | 提升自振频率之电容结构 | ||
摘要 | 一种电容结构将信号导电极板与延伸接地导电极板配置于同一平面上,形成电容共平面结构(co-plane capacitor)。由于利用缓波(Slow wave)物理特性,此电容结构可有效提升电容元件之自振频率(resonance frequency),以使电容元件能应用于更高的频率范围。 | ||
申请公布号 | TW200919501 | 申请公布日期 | 2009.05.01 |
申请号 | TW096138663 | 申请日期 | 2007.10.16 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈韦廷;陈昌昇;徐钦山;魏昌琳;蔡承桦;晋国强 |
分类号 | H01G4/00(2006.01);H05K1/16(2006.01) | 主分类号 | H01G4/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |