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发明名称
半导体装置之堆叠电容及其制造方法
摘要
一种半导体装置之堆叠结构,系包含形成于半导体基板上及/或上方之一第一电容以及形成于第一电容上及/或上方之第二电容。第一电容与第二电容分别具有一多层层积结构,层积结构包含一下电极、一电容介电层以及一上电极。下电极与上电极中至少两个电极系互相垂直排列,以具有相同的宽度及/或表面积。
申请公布号
TW200919705
申请公布日期
2009.05.01
申请号
TW097137326
申请日期
2008.09.26
申请人
东部高科股份有限公司
发明人
房基完
分类号
H01L27/04(2006.01);H01L21/77(2006.01)
主分类号
H01L27/04(2006.01)
代理机构
代理人
许世正
主权项
地址
南韩
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