发明名称 半导体装置之堆叠电容及其制造方法
摘要 一种半导体装置之堆叠结构,系包含形成于半导体基板上及/或上方之一第一电容以及形成于第一电容上及/或上方之第二电容。第一电容与第二电容分别具有一多层层积结构,层积结构包含一下电极、一电容介电层以及一上电极。下电极与上电极中至少两个电极系互相垂直排列,以具有相同的宽度及/或表面积。
申请公布号 TW200919705 申请公布日期 2009.05.01
申请号 TW097137326 申请日期 2008.09.26
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 房基完
分类号 H01L27/04(2006.01);H01L21/77(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩